UJ3C065080B3是一款650 V, 80 mohm SiC FET器件，它采用D2PAK-3L封裝，非常適合開關感性負載以及任何需要標準柵極驅動的應用。

規(guī)格

技術：SiC

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性：N-Channel

通道數量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：25 A

Rds On-漏源導通電阻：100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：51 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：115 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標名：SiC FET

系列：UJ3C

配置：Single

下降時間：11 ns

產品類型：MOSFET

上升時間：13 ns

典型關閉延遲時間：59 ns

典型接通延遲時間：18 ns

單位重量：3.082 g

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