UF3SC065040B7S 是采用D2PAK-7L封裝的650 V, 42 mohm SiC FET器件，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載以及任何需要標準柵極驅動的應用。

規(guī)格

產(chǎn)品種類：MOSFET

技術：SiC

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：D2PAK-7

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：43 A

Rds On-漏源導通電阻：42 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：6 V

Qg-柵極電荷：43 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：195 W

通道模式：Enhancement

商標名：SiC FET

系列：UF3SC

配置：Single

下降時間：9 ns, 12 ns

濕度敏感性：Yes

產(chǎn)品：SiC FETs

產(chǎn)品類型：MOSFET

上升時間：24 ns, 27 ns

典型關閉延遲時間：45 ns, 47 ns

典型接通延遲時間：22 ns

單位重量：4.675 g

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