UF3C065080K3S是一款650 V, 80 mohm SiC FET分立式晶體管。此器件采用TO-247-3L封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，配合推薦的RC緩沖器使用時(shí)，非常適合開關(guān)感性負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

規(guī)格

產(chǎn)品種類：MOSFET

技術(shù)：SiC

安裝風(fēng)格：通孔

封裝 / 箱體：TO-247-3

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：31 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 12 V, + 12 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：6 V

Qg-柵極電荷：51 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：190 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標(biāo)名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

下降時(shí)間：11 ns

產(chǎn)品類型：MOSFET

上升時(shí)間：14 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：54 ns

典型接通延遲時(shí)間：25 ns

單位重量：6 g

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