Qorvo UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on)共源共柵SiC FET產(chǎn)品將其高性能Gen 3 SiC JFET與FET優(yōu)化MOSFET共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅(qū)動SiC器件。

該MOSFET具有超低柵極電荷，同時也是同類器件中反向恢復特性最好的。該器件采用TO-220-3L封裝，配合推薦的RC緩沖器使用時，非常適合開關(guān)感性負載，以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。

規(guī)格

技術(shù)：SiC

安裝風格：通孔

封裝 / 箱體：TO-220-3

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：54 A

Rds On-漏源導通電阻：52 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：51 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：326 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

單位重量：2 g

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