NVMFWS3D0P04M8LT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPAK 封裝，專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。該 MOSFET 已通過 AEC-Q101 認證，具有 PPAP 能力，適用于需要增強板級可靠性的汽車應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： P 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：28A（Ta），183A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2.7 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.4V @ 2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 124 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 5827 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），171W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

等級： 汽車級

資質(zhì) AEC-Q101

安裝類型： 表面貼裝型

供應商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線

應用

反向電池保護

電源開關(guān)（高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等）

開關(guān)電源

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