SCT040W120G3AG 碳化硅功率MOSFET器件是采用意法半導體先進創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)的。該器件在整個溫度范圍內(nèi)具有非常低的RDS(on)，結(jié)合低電容和非常高的開關(guān)操作，從而提高了頻率，能效，系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應用性能。

器件型號：SCT040W120G3AG

技術(shù)：碳化硅功率MOSFET

電壓：1200 V

電流： 40 A

安裝類型：通孔

封裝：HIP247

特性

?通過AEC-Q101認證

?在整個溫度范圍內(nèi)非常低的RDS(on)

?高速交換性能

?非?？焖俸头€(wěn)健的內(nèi)在體二極管

?非常高的工作結(jié)溫能力(TJ = 200°C)

應用

?主逆變器(電力牽引)

?用于EV/HEV的DC/DC轉(zhuǎn)換器

?車載充電器(OBC)

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