IMZA120R014M1H 采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。

特征描述

出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

高閾值電壓，Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)

寬柵源電壓范圍

堅(jiān)固的低損耗體二極管，適用于硬開關(guān)

關(guān)斷損耗受溫度影響小

.XT擴(kuò)散焊技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電池化成

電動(dòng)汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

太陽能系統(tǒng)解決方案

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。