M3032316045NX0IBCY是一種磁阻隨機存取存儲器（MRAM）。其密度范圍為4Mbit 至 32Mbit。MRAM 技術類似于閃存技術，具有與 SRAM 兼容的 35ns/35ns和 45ns/45ns 讀/寫時序（Persistent SRAM、P-SRAM）。數(shù)據(jù)始終是非易失性的。因此，MRAM 是一種非?？煽亢涂焖俚姆且资源鎯ζ鹘鉀Q方案。

產(chǎn)品屬性

存儲器類型：非易失

存儲器格式：RAM

技術：MRAM（磁阻式 RAM）

存儲容量：32Mb

存儲器組織：2M x 16

存儲器接口：并聯(lián)

寫周期時間 - 字，頁：45ns

訪問時間：45 ns

電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：48-LFBGA

供應商器件封裝：48-FBGA（10x10）

應用

● 工廠自動化

● 多功能打印機

● 工業(yè)控制和監(jiān)控

● 醫(yī)療診斷

● 數(shù)據(jù)交換機和路由器

● 智能儀表

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