商品名稱：A5191HRTNG-XTP
數(shù)據(jù)手冊：
A5191HRTNG-XTP.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：QFN-32
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
A5191HRTNG-XTP是一種單芯片 CMOS 調(diào)制解調(diào)器，用于可尋址遠(yuǎn)程傳感器數(shù)據(jù)公路 (HART) 現(xiàn)場儀器和主節(jié)點(diǎn)。該調(diào)制解調(diào)器結(jié)合一些外部無源部件可提供滿足 HART 物理層要求所需的所有功能，包括調(diào)制、解調(diào)、接收濾波、載波器檢測以及發(fā)射信號整形。
產(chǎn)品屬性
數(shù)據(jù)格式： HART
波特率： 1.2k
電壓 - 供電： 3V ~ 5V
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 32-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝： 32-QFN（5x5）
應(yīng)用
HART 多路復(fù)用器
HART 調(diào)制解調(diào)器接口
4 - 20 mA 回路供電變送器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
484-FCBGA
2000
調(diào)制解調(diào)器IC RF 僅限 TxRx WiFi 802.11ad，LTE 484-BFBGA，F(xiàn)CBGA
Renesas
484-FCBGA
2000
調(diào)制解調(diào)器IC RF 僅限 TxRx WiFi 802.11ad，LTE 484-BFBGA，F(xiàn)CBGA
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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