IQE004NE1LM7 是業(yè)內(nèi)首款15V溝槽式功率MOSFET產(chǎn)品組合的一部分。與OptiMOS?5 25 V相比，擊穿電壓降低，RDS（on）和FOMQG改善約30%，F(xiàn)OMQOSS改善約40%。再加上源下封裝，熱管理變得簡單，將高功率SMPS應(yīng)用的功率密度和效率提升到新的水平。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：15 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58A (Ta), 379A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.45mOhm @ 30A, 7V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 432μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 7 V

Vgs（最大值）：±7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6240 pF @ 7.5 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），89W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TTFN-9-3

封裝/外殼：9-PowerTDFN

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