STW48N60M6 是由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET，屬于 MDmesh? M6 系列。新的 MDmesh? M6 技術(shù)將最新的先進(jìn)技術(shù)融入了著名的 SJ MOSFET MDmesh 系列。意法半導(dǎo)體在上一代 MDmesh 器件的基礎(chǔ)上推出了全新的 M6 技術(shù)，該技術(shù)將出色的單位面積 RDS(on)改進(jìn)與目前最有效的開(kāi)關(guān)行為之一相結(jié)合，并提供了用戶(hù)友好的體驗(yàn)，從而實(shí)現(xiàn)了最高的終端應(yīng)用效率。

特性

降低開(kāi)關(guān)損耗

單位面積 RDS(on) 比上一代產(chǎn)品更低

柵極輸入電阻低

100% 經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試

齊納保護(hù)

產(chǎn)品屬性

型號(hào)：STW48N60M6

系列：MDmesh? M6  

包裝：管件  

零件狀態(tài)：在售  

FET 類(lèi)型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 600 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：39A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 69毫歐 @ 19.5A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4.75V @ 250μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 57 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±25V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2578 pF @ 100 V  

功率耗散（最大值）： 250W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類(lèi)型： 通孔 

應(yīng)用

開(kāi)關(guān)應(yīng)用

LLC 轉(zhuǎn)換器

升壓 PFC 轉(zhuǎn)換器

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