商品名稱:IPP129N10NF2S
數據手冊:
IPP129N10NF2S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件

IPP129N10NF2S 是 100V StrongIRFET? 2 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。它具有 12.9 mOhm 的低 RDS(on),可滿足從低開關頻率到高開關頻率的廣泛應用。
產品特性
分銷合作伙伴廣泛供應
優異的性價比
高低開關頻率的理想選擇
行業標準基底面通孔封裝
高額定電流
可進行波峰焊接
潛在應用
電源管理(SMPS)
適配器
電機驅動
電池供電應用
電池管理
不間斷電源
輕型電動汽車
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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EVAL-BGA125N6
EVAL-BGA125N6評估板設有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA),設計用于增強可穿戴設備和移動蜂窩物聯網應用中L2/L5頻段的GNSS信號靈敏度。
EVAL-BGA123N6
EVAL-BGA123N6評估板設有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA) ,設計用于增強可穿戴設備和移動蜂窩物聯網應用中L2/L5頻段的GNSS信號靈敏度。
EVAL-BGA123L4
英飛凌科技EVAL-BGA123L4評估板設有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA),設計用于可穿戴設備和移動蜂窩物聯網應用。
BGA725L6-BOARD
Infineon Technologies BGA725L6-BOARD評估板設計用于評估BGA725L6硅鍺低噪聲放大器(用于全球導航衛星系統 (GNSS))的性能。
BGA824N6-BOARD
BGA824N6-BOARD評估板設計用于評估BGA824N6硅鍺低噪聲放大器(用于全球導航衛星系統 (GNSS))的性能。電話咨詢:86-755-83294757
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