CAB400M12XM3半橋模塊是1200V和400A全碳化硅、開關(guān)損耗優(yōu)化型模塊。該模塊采用高密度占位，可在高結(jié)溫下工作。模塊采用6.7nH低電感設(shè)計，并實施了開關(guān)損耗優(yōu)化的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。該模塊采用可簡化母線設(shè)計的端子布局、集成溫度檢測功能、專用漏極開爾文引腳、氮化硅絕緣體和銅基板。典型應(yīng)用包括不間斷電源 (UPS)、電動汽車充電器以及電機(jī)和牽引驅(qū)動器。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 N-通道（雙）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：395A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.3毫歐 @ 400A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 92mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：908nC @ 15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2450pF @ 800V

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

應(yīng)用

● 電機(jī)和牽引驅(qū)動

● 汽車快速充電器

● 不間斷電源

● 智能電網(wǎng)/并網(wǎng)分布式發(fā)電

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