PSMN1R5-30BLEJ 采用D2PAK封裝的30V邏輯電平N溝道MOSFET，可承受175°C的高溫。該產(chǎn)品設計用于各種工業(yè)、通信和家用設備。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.5 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：228 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：14934 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：401W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

基本產(chǎn)品編號：PSMN1R5

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