IPW60R017C7 器件具有650V擊穿電壓，因此適合用于需要額外安全裕度的太陽能和開關(guān)模式電源 (SMPS) PFC級。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 600 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 109A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 17 毫歐 @ 58.2A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 2.91mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 240 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 9890 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 446W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO247-3-41  

封裝/外殼： TO-247-3

應(yīng)用

用于高功率/高性能的 PFC 級和 PWM 級（TTF、LLC SMPS，如計算機、服務(wù)器、電信、UPS 和太陽能。

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