DMWS120H100SM4 1200V N溝道碳化硅(SiC)功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。它可以在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏能源系統(tǒng)、直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及數(shù)據(jù)中心和電信電源中實(shí)現(xiàn)高密度和高效率。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：37.2A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 20A，15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1516 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

基本產(chǎn)品編號(hào)：DMWS120

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