商品名稱：FAM65CR51ADZ2
數(shù)據(jù)手冊：
FAM65CR51ADZ2.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：12-SSIP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
FAM65CR51ADZ2 功率集成 MOSFET 模塊，帶升壓轉換器級，用于多相和半無橋功率因數(shù)校正 (PFC)，帶二極管。
特點
集成式 SIP 或 DIP 升壓轉換器級電源模塊，用于電動汽車或 PHEV 的車載充電器 (OBC)
5 kV/1 秒電氣隔離基底，便于組裝
爬電距離和間隙符合 IEC60664-1、IEC 60950-1 標準
設計緊湊，模塊總電阻低
模塊序列化，實現(xiàn)完全可追溯性
符合無鉛、RoHS 和 UL94V-0 標準
根據(jù) AEC Q101 和 AQG324 準則通過汽車認證
使用碳化硅二極管提高性能
規(guī)格
類型： MOSFET
配置： 半橋
電流： 41 A
電壓： 650 V
電壓 - 隔離： 5000Vrms
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 12-SSIP 裸焊盤，成型引線
應用
? PHEV 或電動汽車板載充電器的 PFC 階段
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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