商品名稱：NCV78247DQ0AR2G
數(shù)據(jù)手冊：
NCV78247DQ0AR2G.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：36-BFSOP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NCV78247DQ0AR2G 是一款單芯片像素控制器，帶有嵌入式開關，用于控制串聯(lián) LED 燈串中的 LED，專為汽車照明應用而設計，尤其適用于大電流 LED。
產(chǎn)品特點
單芯片
集成開關，提供多種配置選項
外部元件最少
調(diào)光控制器
過壓檢測
過溫保護
短路/開路檢測
LED 開路故障自動旁路
通過 SPI 與 Pixel Light ECU 的通信接口
開關開關速率控制
單個 LED 開路/短路診斷反饋
每個通道的 PWM + 移相單元
高效的 SPI 突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸
多個設備之間的同步
典型應用
- 靜態(tài)高級前部照明功能
無眩光遠光燈
靜態(tài)旋轉
光束整形
光功率調(diào)節(jié)
- 信號燈上的動畫歡迎功能
- 擦拭式閃爍器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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