STP24N60M2：600V，MDmesh M2 功率MOSFET 晶體管，采用TO-220-3封裝。

概述：

STP24N60M2 是采用新一代 MDmesh? 技術(shù)開(kāi)發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET： MDmesh II Plus? 低 Qg。這些革命性的功率 MOSFET 將垂直結(jié)構(gòu)與條帶布局結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)了世界上最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。因此，它們適用于要求最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器。

STP24N60M2 規(guī)格參數(shù)：

系列：MDmesh? II Plus

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：18A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：190 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1060 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

STP24N60M2 產(chǎn)品特性：

極低的柵極電荷

與上一代產(chǎn)品相比，RDS(on)x 面積更低

低柵極輸入電阻

100% 經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試

齊納保護(hù)

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。