NVHL110N65S3F：高壓MOSFET——650V，30A，SUPERFET? III MOSFET晶體管，采用 TO-247-3 封裝。

型號(hào)：NVHL110N65S3F

類型：TO-247-3

封裝：SUPERFET? III MOSFET晶體管

說明：SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 的全新高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。

NVHL110N65S3F 規(guī)格參數(shù)：

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 3mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：58 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2560 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

NVHL110N65S3F 產(chǎn)品特性：

700 V @ TJ = 150°C

典型值。RDS(on) = 93 m

超低柵極電荷（典型值：Qg = 58 nC）

低有效輸出電容（典型值：Coss(eff.) = 553 pF）

100% 通過雪崩測(cè)試

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