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最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司長(zhǎng)期推出英飛凌汽車(chē)MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS? - 面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，N 通道 120 V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3特點(diǎn)?N 溝道 - 增強(qiáng)模式?通過(guò)汽車(chē) AEC Q101 認(rèn)證?MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260C?175C 工作溫度?符合 RoHS 規(guī)范…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司長(zhǎng)期推出英飛凌汽車(chē)MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS? - 面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，N 通道 120 V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
特點(diǎn)
?N 溝道 - 增強(qiáng)模式
?通過(guò)汽車(chē) AEC Q101 認(rèn)證
?MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260°C
?175°C 工作溫度
?符合 RoHS 規(guī)范
?100% 雪崩測(cè)試
產(chǎn)品屬性: IPD70N12S311
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V
Id-連續(xù)漏極電流: 70 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: OptiMOS
配置: Single
下降時(shí)間: 8 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFETs
上升時(shí)間: 8 ns
系列: N Channel
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 17 ns
應(yīng)用
用于電動(dòng)汽車(chē)的高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電 (OBC)
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時(shí)間：2025-05-15
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