最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng) INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 ICS26HS512TGABHI003 的產(chǎn)品說(shuō)明S26HS512TGABHI003 是英飛凌 SEMPER? NOR 閃存系列的成員，密度高達(dá) 512 Mbit。該器件在 HYPERBUS 接口上工作，帶寬為 400 MByte/s，工作電壓為 1.8 …
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng) INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 IC
S26HS512TGABHI003 的產(chǎn)品說(shuō)明
S26HS512TGABHI003 是英飛凌 SEMPER? NOR 閃存系列的成員，密度高達(dá) 512 Mbit。該器件在 HYPERBUS 接口上工作，帶寬為 400 MByte/s，工作電壓為 1.8 V，接口頻率高達(dá) 200 MHz (DDR)，采用堅(jiān)固的英飛凌 PG-BGA-24 封裝。
英飛凌 SEMPER? 閃存系列產(chǎn)品是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件，兼容 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 規(guī)范。SEMPER? 閃存專為功能安全而設(shè)計(jì)，其開發(fā)符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)，可實(shí)現(xiàn) ASIL-B 合規(guī)性和 ASIL-D 就緒性。
S26HS512TGABHI003 參數(shù)
密度：512 MBit
系列：HS-T
接口帶寬：400 MByte/s
接口頻率：200 MHz
接口：HYPERBUS
引腳球表面處理：錫/銀/銅
工作溫度：-40 °C - 85 °C
工作電壓：1.8 V 1.7 V 2 V
峰值回流焊溫度：260 °C
S26HS512TGABHI003 的特點(diǎn)
英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)，在每個(gè)存儲(chǔ)器陣列單元中存儲(chǔ)兩個(gè)數(shù)據(jù)位
扇區(qū)架構(gòu)選項(xiàng)
256 或 512 字節(jié)的頁(yè)面編程緩沖區(qū)
1024 字節(jié)（32 × 32 字節(jié)）的 OTP 安全硅區(qū) (SSR)
HYPERBUS? 接口
帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存支持傳統(tǒng) SPI (x1) 或 HYPERBUS? 接口 (x8) 默認(rèn)啟動(dòng)
自動(dòng)啟動(dòng)功能可在上電后立即訪問(wèn)存儲(chǔ)器陣列
通過(guò) CS# 信號(hào)方法（JEDEC）和單獨(dú)的 RESET# 引腳進(jìn)行硬件復(fù)位
描述器件功能和特性的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP)
設(shè)備標(biāo)識(shí)、制造商標(biāo)識(shí)和唯一標(biāo)識(shí)
電話咨詢：86-755-83294757
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