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深圳明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ON UJ3C120080K3S 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET晶體管深圳明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)商,現(xiàn)可立即供貨安森美半導(dǎo)體的UJ3C120080K3S 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET晶體管。該產(chǎn)品采用獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),具備卓…
深圳明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ON UJ3C120080K3S 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET晶體管
深圳明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)商,現(xiàn)可立即供貨安森美半導(dǎo)體的UJ3C120080K3S 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET晶體管。該產(chǎn)品采用獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),具備卓越的開(kāi)關(guān)性能,為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供理想解決方案。
【UJ3C120080K3S核心特性與技術(shù)創(chuàng)新】
UJ3C120080K3S采用先進(jìn)碳化硅技術(shù)打造的高性能MOSFET,具備多項(xiàng)卓越技術(shù)特性。其TO-247-3封裝設(shè)計(jì)在高壓大功率應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異性能。
其核心優(yōu)勢(shì)在于兼具1200V耐壓能力與僅80mΩ的超低導(dǎo)通電阻,顯著降低高壓應(yīng)用中的導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)整體效率。
在開(kāi)關(guān)性能方面,UJ3C120080K3S支持高頻運(yùn)行,持續(xù)漏極電流高達(dá)33A,特別適用于高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景。
該器件采用創(chuàng)新的共源共柵結(jié)構(gòu),將先進(jìn)碳化硅JFET與優(yōu)化硅MOSFET集成于單封裝內(nèi)。該設(shè)計(jì)巧妙融合兩種技術(shù)的優(yōu)勢(shì):既實(shí)現(xiàn)常閉工作模式和簡(jiǎn)易柵極驅(qū)動(dòng)特性,又保留了SiC材料固有的高效率、高速響應(yīng)及耐高溫能力。
相較于傳統(tǒng)硅基MOSFET或IGBT,這款SiC MOSFET展現(xiàn)出多重顯著優(yōu)勢(shì)。其導(dǎo)通電阻極低(80mΩ至100mΩ),有效降低了導(dǎo)通損耗。
UJ3C120080K3S支持更高開(kāi)關(guān)頻率,使設(shè)計(jì)人員能夠縮小系統(tǒng)內(nèi)磁性元件和無(wú)源器件的尺寸,從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
該器件進(jìn)一步集成了ESD和柵極保護(hù)功能,提升了可靠性。其寬廣的工作結(jié)溫范圍(-55°C至+175°C)使其適用于高溫環(huán)境。此外,該器件展現(xiàn)出卓越的體二極管性能(正向壓降<2V)和優(yōu)異的反向恢復(fù)特性。
碳化硅技術(shù)的另一顯著優(yōu)勢(shì)在于其極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)僅為10nC,這有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)頻率響應(yīng)。
【UJ3C120080K3S詳細(xì)關(guān)鍵性能參數(shù)】
高壓能力:額定漏源電壓(Vdss)達(dá)1200V,適用于三相工業(yè)系統(tǒng)、光伏逆變器等高壓應(yīng)用
大電流能力:25°C環(huán)境下持續(xù)漏極電流(Id)高達(dá)33A
低導(dǎo)通損耗:漏源導(dǎo)通電阻僅80mΩ至100mΩ(20A/12V測(cè)試值)
快速開(kāi)關(guān)特性:上升/下降時(shí)間均為14ns,典型導(dǎo)通延遲22ns,關(guān)斷延遲61ns
優(yōu)化柵極電荷:柵極電荷(Qg)僅51nC@15V,最大限度降低驅(qū)動(dòng)損耗
上述參數(shù)共同構(gòu)筑了UJ3C120080K3S卓越性能的基礎(chǔ),使其在高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。相較于同規(guī)格硅基超結(jié)MOSFET,其開(kāi)關(guān)損耗降低高達(dá)80%,顯著提升系統(tǒng)效率。
【UJ3C120080K3S的廣泛應(yīng)用場(chǎng)景】
在新能源汽車(chē)領(lǐng)域,該器件可應(yīng)用于車(chē)載充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及DC-DC轉(zhuǎn)換器,助力提升電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程與充電效率。
光伏發(fā)電與智能電網(wǎng)領(lǐng)域同樣受益于該碳化硅MOSFET的高性能表現(xiàn)。在光伏逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)中,UJ3C120080K3S可提升能量轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)確保電力傳輸與配電設(shè)備穩(wěn)定可靠運(yùn)行。
在工業(yè)電源領(lǐng)域,UJ3C120080K3S適用于高效電力轉(zhuǎn)換與電機(jī)控制,滿(mǎn)足工業(yè)自動(dòng)化對(duì)功率密度和能效的嚴(yán)苛要求。即便在軌道交通領(lǐng)域,該器件也能部署于牽引逆變器和輔助電源系統(tǒng),滿(mǎn)足高可靠性需求。
相較于傳統(tǒng)硅基功率器件,UJ3C120080K3S在上述應(yīng)用中顯著縮減系統(tǒng)體積與重量,同時(shí)提升整體能效,為終端產(chǎn)品創(chuàng)造競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
時(shí)間:2025-09-30
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