深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) 英飛凌 IPW65R110CFD 650V CoolMOS? N溝道功率MOSFET晶體管深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為知名的電子元器件供應(yīng)商,現(xiàn)供應(yīng)Infineon IPW65R110CFD 650V CoolMOS? N溝道功率MOSFET晶體管。這款產(chǎn)品是英飛凌第二代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓MOSFET,以其…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) 英飛凌 IPW65R110CFD 650V CoolMOS? N溝道功率MOSFET晶體管
深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為知名的電子元器件供應(yīng)商,現(xiàn)供應(yīng)Infineon IPW65R110CFD 650V CoolMOS? N溝道功率MOSFET晶體管。這款產(chǎn)品是英飛凌第二代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓MOSFET,以其卓越的性能和可靠性成為工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。
【IPW65R110CFD產(chǎn)品概述】
IPW65R110CFD是英飛凌第二代高壓CoolMOS? MOSFET產(chǎn)品,采用先進(jìn)的650V技術(shù)并集成快速體二極管。這款器件是600V CFD技術(shù)的后續(xù)產(chǎn)品,在能效方面實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升。
CoolMOS?技術(shù)基于革命性的超結(jié)(Super-Junction)原理設(shè)計(jì),打破了傳統(tǒng)功率MOSFET的限制。IPW65R110CFD作為CFD2系列的一員,不僅延續(xù)了CoolMOS?系列的高效特性,更在多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)上進(jìn)行了優(yōu)化。
IPW65R110CFD設(shè)計(jì)用于提供更高的功率密度和更優(yōu)異的開關(guān)性能,其更軟的換向行為以及更優(yōu)秀的電磁干擾行為,使其比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品明顯更具優(yōu)勢(shì)。這些特性使得設(shè)計(jì)導(dǎo)入更為容易,同時(shí)提供了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格點(diǎn)。
【IPW65R110CFD關(guān)鍵特性與性能參數(shù)】
IPW65R110CFD具備多項(xiàng)令人印象深刻的特性參數(shù),這些參數(shù)直接決定了其在各種應(yīng)用中的出色表現(xiàn):
該MOSFET的漏源擊穿電壓(VDS)高達(dá)650V,提供了充足的安全裕量。在25°C下,連續(xù)漏極電流(ID)最大可達(dá)31.2A,脈沖漏極電流(IDM)更是高達(dá)99.6A。
其漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on))最大值為110mΩ(測(cè)試條件為10V柵極電壓),典型值甚至更低,這意味著更低的傳導(dǎo)損耗和更高的能效。
IPW65R110CFD采用TO-247封裝,柵極電荷(Qg)典型值為118nC(@10V),低柵極電荷使得開關(guān)損耗顯著降低??偣β屎纳ⅲ≒tot)最大可達(dá)277.8W,顯示了其出色的功率處理能力。
IPW65R110CFD還集成了超快體二極管,具有極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr),這使其在硬換向期間能夠限制電壓過(guò)沖,提高了系統(tǒng)的可靠性。
【IPW65R110CFD產(chǎn)品特性】
IPW65R110CFD采用了英飛凌先進(jìn)的CoolMOS? CFD2技術(shù),集成了快速體二極管,相比前代產(chǎn)品在能效上有顯著提升。
其主要特性包括:
高耐壓能力:650V的漏源擊穿電壓(VDS),為設(shè)計(jì)提供額外的安全裕度。
低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 最大值為110mΩ(在10V VGS條件下),能有效降低導(dǎo)通損耗。
高電流處理能力:連續(xù)漏極電流(ID)最高可達(dá)31.2A,脈沖電流(IDpuls)更能達(dá)到99.6A。
快速開關(guān)性能:得益于低柵極電荷(Qg僅為118nC) 和低反向恢復(fù)電荷(Qrr),開關(guān)損耗顯著降低。
優(yōu)異的熱性能:最大功率耗散為277.8W,熱阻(RthJC)低至0.45K/W,采用經(jīng)典的TO-247封裝,易于散熱處理。
【IPW65R110CFD優(yōu)勢(shì)亮點(diǎn)】
IPW65R110CFD不僅僅是一個(gè)簡(jiǎn)單的MOSFET,其設(shè)計(jì)帶來(lái)了多重優(yōu)勢(shì):
更軟的換向行為和更優(yōu)秀的電磁干擾(EMI)行為,這使得產(chǎn)品比競(jìng)爭(zhēng)方案明顯更具優(yōu)勢(shì)。
體二極管重復(fù)換向時(shí)Qrr低,從而有效降低開關(guān)損耗。
自限制di/dt和dv/dt能力,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
與600V CFD技術(shù)相比,Qg顯著降低,換向行為得到改善,同時(shí)價(jià)格更具競(jìng)爭(zhēng)力。
【IPW65R110CFD應(yīng)用領(lǐng)域】
IPW65R110CFD適用于多種高功率、高效率要求的應(yīng)用場(chǎng)景:
在通信基礎(chǔ)設(shè)施中,如蜂窩通信基站,其高效能的特性有助于降低運(yùn)營(yíng)成本和提高系統(tǒng)可靠性。
服務(wù)器電源是另一個(gè)重要應(yīng)用領(lǐng)域,隨著數(shù)據(jù)中心功耗的不斷增長(zhǎng),對(duì)高效功率轉(zhuǎn)換的需求日益迫切。
在可再生能源領(lǐng)域,如太陽(yáng)能逆變器中,IPW65R110CFD的高壓能力和高效特性使其成為理想選擇。
電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施,尤其是快速充電站,也能從該器件的高功率處理能力和高效特性中受益。
此外,它還可用于HID燈鎮(zhèn)流器、LED照明以及電動(dòng)交通等應(yīng)用。
時(shí)間:2025-09-30
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