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供應(yīng) ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A 單溝道MOSFET功率晶體管

供應(yīng) ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A 單溝道MOSFET功率晶體管

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深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A 單溝道MOSFET功率晶體管深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球領(lǐng)先的獨(dú)立分銷商,供應(yīng)ON的NVMFS5C430NWFAFT1G 單溝道MOSFET功率晶體管。NVMFS5C430NWFAFT1G是一款性能卓越、可靠性高的汽車級(jí)功率器件,非常適合…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ON NVMFS5C430NWFAFT1G 40V 35A 單溝道MOSFET功率晶體管


深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球領(lǐng)先的獨(dú)立分銷商,供應(yīng)ON的NVMFS5C430NWFAFT1G 單溝道MOSFET功率晶體管。NVMFS5C430NWFAFT1G是一款性能卓越、可靠性高的汽車級(jí)功率器件,非常適合要求嚴(yán)苛的汽車電子和工業(yè)應(yīng)用。


NVMFS5C430NWFAFT1G產(chǎn)品概述】

NVMFS5C430NWFAFT1G是一款高性能單N溝道功率MOSFET晶體管。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的DFN-5(5.9x4.9)封裝,集高耐壓、大電流、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性于一身,特別適合需要高功率密度和高效散熱的緊湊型設(shè)計(jì)。


NVMFS5C430NWFAFT1G產(chǎn)品特性與優(yōu)勢(shì)】

NVMFS5C430NWFAFT1G MOSFET具有多項(xiàng)顯著特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):


高電流處理能力:NVMFS5C430NWFAFT1G在25°C環(huán)境溫度下可承受35A的連續(xù)漏極電流,而在殼溫條件下更能高達(dá)185A,使其能夠應(yīng)對(duì)高功率應(yīng)用的需求。


極低導(dǎo)通電阻:憑借僅1.7mΩ的低導(dǎo)通電阻(在10V驅(qū)動(dòng)電壓和50A電流條件下),該MOSFET能有效減少導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)整體效率,并降低發(fā)熱。


緊湊型封裝與熱性能:NVMFS5C430NWFAFT1G采用DFN-5(5.9x4.9) 扁平引線封裝。這種緊湊的封裝尺寸特別適合于空間受限的設(shè)計(jì)。同時(shí),其封裝設(shè)計(jì)提供了較高的熱性能,有助于散熱管理。


可潤(rùn)濕側(cè)翼選項(xiàng):封裝提供了可潤(rùn)濕側(cè)翼(Wettable Flank)選項(xiàng),這增強(qiáng)了自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)(AOI)的能力,便于在制造過(guò)程中檢查焊接質(zhì)量,提高生產(chǎn)良率和可靠性,尤其符合汽車電子制造的要求。


汽車級(jí)可靠性認(rèn)證:NVMFS5C430NWFAFT1G通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證,并具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)功能,完全滿足汽車電子應(yīng)用對(duì)可靠性和質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。


適用于高頻開(kāi)關(guān):盡管具有高電流能力,但其柵極電荷(Qg)為47nC,輸入電容(Ciss)為3.3nF,在同類產(chǎn)品中具有一定的開(kāi)關(guān)性能,適用于多種開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。


NVMFS5C430NWFAFT1G產(chǎn)品亮點(diǎn)】

NVMFS5C430NWFAFT1G的主要特點(diǎn)體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:


卓越的電氣性能:NVMFS5C430NWFAFT1G具有40V的漏源電壓(Vdss) 額定值和35A(Ta)/185A(Tc) 的連續(xù)漏極電流能力。其最大導(dǎo)通電阻僅為1.7mΩ@50A,10V,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。


優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性:NVMFS5C430NWFAFT1G擁有47nC@10V的低柵極電荷(Qg) 和3300pF@25V的輸入電容(Ciss)。這些特性共同作用,實(shí)現(xiàn)了更低的開(kāi)關(guān)損耗,使得器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。


堅(jiān)固可靠的設(shè)計(jì):±20V的柵源電壓(Vgs) 容限提供了更高的設(shè)計(jì)裕量和抗干擾能力,增強(qiáng)了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。


熱性能卓越:NVMFS5C430NWFAFT1G能夠承受最大106W(Tc)的功率耗散,確保了在高功率應(yīng)用中的可靠運(yùn)行。


NVMFS5C430NWFAFT1G封裝與安裝】

NVMFS5C430NWFAFT1G采用8-PowerTDFN封裝(也稱為5-DFNW5或DFN-5),外形尺寸僅為4.9x5.9mm。這種緊湊的封裝設(shè)計(jì)非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。


NVMFS5C430NWFAFT1G采用表面貼裝技術(shù)(SMT),并配備了可潤(rùn)濕側(cè)翼選項(xiàng),便于汽車電子制造中必需的自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI),提高生產(chǎn)質(zhì)量和可靠性。


封裝本身具有良好的熱性能,能將芯片產(chǎn)生的熱量高效地傳導(dǎo)到PCB板上,借助適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì),可充分發(fā)揮MOSFET的性能潛力。


NVMFS5C430NWFAFT1G應(yīng)用領(lǐng)域】

憑借其優(yōu)異的性能,NVMFS5C430NWFAFT1G MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景:


汽車電子系統(tǒng):如電機(jī)控制(驅(qū)動(dòng)、制動(dòng)、動(dòng)力轉(zhuǎn)向)、電池管理系統(tǒng)(BMS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED照明驅(qū)動(dòng)、反向電池保護(hù)等。其AEC-Q101認(rèn)證和PPAP能力使其成為汽車應(yīng)用的理想選擇。


工業(yè)自動(dòng)化與控制:NVMFS5C430NWFAFT1G用于PLC系統(tǒng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、機(jī)器人控制器、大功率開(kāi)關(guān)電源等高要求工業(yè)場(chǎng)景。


電源管理系統(tǒng):NVMFS5C430NWFAFT1G適用于服務(wù)器、電信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備的電源管理。優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)特性使得它能夠用于高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),有助于減小被動(dòng)元件的尺寸,提高功率密度。


高效DC-DC轉(zhuǎn)換器:NVMFS5C430NWFAFT1G特別適用于負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器和二次側(cè)同步整流應(yīng)用。低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性有助于提高轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗。


電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制:NVMFS5C430NWFAFT1G能夠高效驅(qū)動(dòng)各種DC電機(jī),適用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人技術(shù)和電動(dòng)工具等領(lǐng)域。高電流處理能力和優(yōu)良的熱性能確保能夠應(yīng)對(duì)電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的大電流沖擊。


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