LMG3526R050RQSR 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
概述
LMG3526R050RQSR 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一個硅驅動器，可實現(xiàn)高達150V/ns的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供超小的振鈴和干凈的開關?？烧{柵極驅動強度允許將壓擺率控制在15V/ns至150V/ns之間。這可用于主動控制EMI并優(yōu)化開關性能。
特性
帶集成柵極驅動器的650V硅上氮化鎵場效應晶體管 (FET)
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns FET釋抑
3.6MHz開關頻率
15V/ns到150V/ns轉換速率，用于優(yōu)化開關性能和緩解EMI
在7.5V至18V電源下工作
高級電源管理
數(shù)字溫度PWM輸出
有助于實現(xiàn)軟開關轉換器的零電壓檢測功能
強大的保護功能
響應時間少于100ns的逐周期過流和鎖存短路保護
硬開關時可承受720 V浪涌
針對內部過熱和UVLO監(jiān)控的自我保護
頂部冷卻12mm ×12mm VQFN封裝將電氣路徑和熱路徑分開，以實現(xiàn)最低的功率環(huán)路電感
應用
? 開關模式電源轉換器
? 商戶網(wǎng)絡和服務器PSU
? 商用電信用整流器
? 太陽能逆變器和工業(yè)電機驅動器
? 不間斷電源
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