深圳市明佳達電子有限公司供求MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N 通道 600 V 31A（Tc） 125W（Tc） PG-DSO-20-87制造商： Infineon Technologies 系列： CoolGaN? FET 類型： N 通道 技術： GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）： 600 V 25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：31A…
深圳市明佳達電子有限公司供求MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N 通道 600 V 31A（Tc） 125W（Tc） PG-DSO-20-87
制造商： Infineon Technologies
系列： CoolGaN?
FET 類型： N 通道
技術： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：31A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應商器件封裝： PG-DSO-20-87
封裝/外殼： 20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 寬）
介紹
CoolGaN系列產(chǎn)品的目標應用需要增強型（常關）HEMT器件，這在典型的電源轉(zhuǎn)換應用中具有更大的優(yōu)勢，因為它們的運行需要的功率更少。CoolGaN HEMT器件的大部分操作優(yōu)勢來自于它們在超高頻率下的開關能力，但這是一個可能受封裝引線寄生電阻影響的特性。出于這個原因，CoolGaN器件采用SMD（表面貼裝器件）技術進行封裝，而不是通孔封裝。
CoolGaN技術使得利用“與HEMT晶體管相同的制造工藝”可以集成靜電放電保護二極管。GaN和AlGaN層通過外延在硅襯底上沉積獲得。增強型功率GaN晶體管具有p-HEMT結(jié)構(gòu)。新穎獨特的場板結(jié)構(gòu)在金屬層中加工獲得。
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