深圳市明佳達電子有限公司意法半導體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET，全新原裝，質(zhì)量保證！產(chǎn)品型號：STL33N60DM2系列： MDmesh? DM2 產(chǎn)品狀態(tài)： 在售 FET 類型： N 通道 技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）： 600 V 25C 時電流 - 連…
深圳市明佳達電子有限公司意法半導體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET，全新原裝，質(zhì)量保證！
產(chǎn)品型號：STL33N60DM2
系列： MDmesh? DM2
產(chǎn)品狀態(tài)： 在售
FET 類型： N 通道
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：21A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 140 毫歐 @ 10.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）： 150W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝： PowerFlat?（8x8）HV
封裝/外殼： 8-PowerVDFN
介紹
意法半導體 MDmesh DM2 系列是意法半導體最新的快速恢復 二極管系列 600V 功率 MOSFET，特別適合 ZVS 相移橋拓撲。它們具有非常小的恢復電荷和時間(Qrr, trr)， 并有低 20% 的 RDS（on） （相比前一代產(chǎn)品）。高 dV/dt 強度（40V/ns），確保更高系統(tǒng)可靠性。
特性
柵極電荷和輸入電容低
與上一代產(chǎn)品相比，RDS(on) x 面積更低
柵極輸入電阻低
專為開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計
100% 經(jīng)過雪崩測試
齊納保護
高 dv/dt 和雪崩能力
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