深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng)，回收] S29GL01GT10TFI010（英飛凌）FLASH - NOR 存儲器 IC，56-TSOP產(chǎn)品描述S29GL01GT10TFI010 是采用 45 納米工藝技術(shù)制造的 MIRRORBIT? 閃存產(chǎn)品。該器件的頁面訪問時間快至 15 ns，相應(yīng)的隨機訪問時間快至 100 ns。它具有一個寫入緩…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng)，回收] S29GL01GT10TFI010（英飛凌）FLASH - NOR 存儲器 IC，56-TSOP
產(chǎn)品描述
S29GL01GT10TFI010 是采用 45 納米工藝技術(shù)制造的 MIRRORBIT? 閃存產(chǎn)品。該器件的頁面訪問時間快至 15 ns，相應(yīng)的隨機訪問時間快至 100 ns。它具有一個寫入緩沖器，一次操作最多可對 256 個字/512 個字節(jié)進行編程，因此有效編程時間比標(biāo)準(zhǔn)編程算法更快。
產(chǎn)品屬性
存儲器類型：非易失
存儲器格式：閃存
技術(shù)：FLASH - NOR
存儲容量：1Gb
存儲器組織：128M x 8
存儲器接口：并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：60ns
訪問時間：100 ns
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：56-TSOP
產(chǎn)品特性
45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)
用于讀取/編程/擦除的單電源（VCC）（2.7 V 至 3.6 V）
多功能 I/O 功能
- 寬 I/O 電壓范圍 (VIO)： 1.65 V 至 VCC
×8/×16 數(shù)據(jù)總線
異步 32 字節(jié)頁面讀取
512 字節(jié)編程緩沖區(qū)
- 以頁面倍數(shù)編程，最大可達(dá) 512 字節(jié)
單字和多字編程選項
自動錯誤檢查和糾正 (ECC) - 具有單位錯誤糾正功能的內(nèi)部硬件 ECC
扇區(qū)擦除 - 128KB 統(tǒng)一扇區(qū)
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