深圳市明佳達電子有限公司 供應 Renesas 功率分立器件：GaN 功率分立器件、功率二極管、功率 IGBT深圳市明佳達電子有限公司是一家知名的電子元器件分銷商，提供多種類型的電子產(chǎn)品。公司與全球知名的電子元器件制造商建立了緊密的合作關(guān)系，確保所供應的元器件均來自正規(guī)…
深圳市明佳達電子有限公司 供應 Renesas 功率分立器件：GaN 功率分立器件、功率二極管、功率 IGBT
深圳市明佳達電子有限公司是一家知名的電子元器件分銷商，提供多種類型的電子產(chǎn)品。公司與全球知名的電子元器件制造商建立了緊密的合作關(guān)系，確保所供應的元器件均來自正規(guī)渠道，品質(zhì)可靠。
主營產(chǎn)品包括：5G 芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、車規(guī)級IC、通信IC、人工智能IC等，此外還供應存儲器IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無線通信模塊、連接器等電子元器件。
氮化鎵功率分立器件
與硅相比，我們的 GaN 功率分立器件通過降低柵極電荷、減少交叉損耗和反向恢復電荷來提高效率。Renesas 引領(lǐng)著氮化鎵革命，為高壓電源轉(zhuǎn)換應用提供最高性能、最高可靠性的氮化鎵器件。我們擁有業(yè)界唯一通過 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的 GaN FET，效率超過 99%，功率密度提高 40%，系統(tǒng)成本降低 20%。
功率二極管
Renesas 的快速恢復二極管 (FRD) 采用超薄晶片和壽命控制技術(shù)，實現(xiàn)了低正向電壓和快速軟恢復特性。
功率 IGBT
瑞薩科技的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 可幫助設計人員通過薄晶圓技術(shù)實現(xiàn)低飽和電壓和快速開關(guān)。反過來，它們也有助于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗。
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