【2025年2月21日】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產…
【2025年2月21日】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。
CoolSiC? MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC
這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2） 技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工具和人形機器人、電視機、驅動器以及固態(tài)斷路器。
TOLL封裝具有出色的板載熱循環(huán)（TCoB）能力，可通過減少印刷電路板（PCB）占板面積實現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設計。在用于SMPS時，它還能減少系統(tǒng)級制造成本。TOLL封裝現(xiàn)在適用于更多目標應用，使PCB設計者能夠進一步降低成本并更好地滿足市場需求。
Q-DPAK封裝的推出補充了英飛凌正在開發(fā)的新型頂部冷卻（TSC）產品，包括CoolMOS? 8、CoolSiC?、CoolGaN?和OptiMOS?。TSC產品使客戶能夠以低成本實現(xiàn)出色的穩(wěn)健性以及更大的功率密度和系統(tǒng)效率，還能將直接散熱率提高至95%，通過實現(xiàn)PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應。
可用性
采用 TOLL 封裝的 CoolSiC? MOSFET 650 V G2 現(xiàn)在提供 R 封裝DS（開）從 10 到 60 mΩ，而 Q-DPAK 型號有 7、10、15 和 20 mΩ 可供選擇。
相關型號
FS01MR08A8MA2LBC：高度緊湊的 B6 橋功率模塊 （750V/620A），采用增強型封裝，針對各種逆變器功率等級進行了優(yōu)化。
FS02MR12A8MA2B：高度緊湊的 B6 橋功率模塊 （1200V/390A），采用增強型封裝，針對各種逆變器功率等級進行了優(yōu)化。
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