概述?BSM150GB120DN2是英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的一款I(lǐng)GBT模塊，主要用于高電壓、大電流的應(yīng)用場景?。該模塊屬于半橋配置，包含快速續(xù)流二極管，并使用絕緣金屬基板進行封裝?。規(guī)格IGBT 類型：-配置：半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大…
概述
?BSM150GB120DN2是英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的一款I(lǐng)GBT模塊，主要用于高電壓、大電流的應(yīng)用場景?。該模塊屬于半橋配置，包含快速續(xù)流二極管，并使用絕緣金屬基板進行封裝?。
規(guī)格
IGBT 類型：-
配置：半橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：210 A
功率 - 最大值：1250 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，150A
電流 - 集電極截止（最大值）：2.8 mA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：11 nF @ 25 V
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝：模塊
基本產(chǎn)品編號：BSM150
?應(yīng)用領(lǐng)域?
BSM150GB120DN2非常適合用于變頻器、逆變器、焊機、新能源車載、高鐵等領(lǐng)域?。
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