深圳市明佳達電子有限公司供應英飛凌存儲器 S29GL032N90TFI030 NOR 閃存 3V 32Mb 并聯(lián) 90 ns 48-TSOP，全新原裝，質量保證，歡迎咨詢！??！產品描述：S29GL032N90TFI030器件是采用 110 納米 MirrorBit 技術制造的 3.0 伏單電源閃存。S29GL032N90TFI030是一款 32-Mb 器件，…
深圳市明佳達電子有限公司供應英飛凌存儲器 S29GL032N90TFI030 NOR 閃存 3V 32Mb 并聯(lián) 90 ns 48-TSOP，全新原裝，質量保證，歡迎咨詢?。?！
產品描述：
S29GL032N90TFI030器件是采用 110 納米 MirrorBit 技術制造的 3.0 伏單電源閃存。S29GL032N90TFI030是一款 32-Mb 器件，按 2,097,152 字或 4,194,304 字節(jié)組織。根據(jù)型號的不同，這些器件只有 16 位寬數(shù)據(jù)總線，或 16 位寬數(shù)據(jù)總線，通過使用 BYTE# 輸入，還可用作 8 位寬數(shù)據(jù)總線。可通過主機系統(tǒng)或標準 EPROM 編程器對器件進行編程。
產品優(yōu)勢：
單電源運行
采用 110 納米 MirrorBit 工藝技術制造
安全硅扇區(qū)
128 字/256 字節(jié)扇區(qū)，通過 8 字/16 字節(jié)隨機電子序列號進行永久安全識別，可通過命令序列訪問
在工廠或由客戶編程和鎖定
靈活的扇區(qū)結構
32 Mb（統(tǒng)一扇區(qū)型號）： 64 個 32K 字（64 KB）扇區(qū)
32 Mb（引導扇區(qū)型號）： 63 個 32K 字（64 KB）扇區(qū) + 8 個 4K 字（8KB）引導扇區(qū)
增強型 VersatileI/O? 控制
所有輸入電平（地址、控制和 DQ 輸入電平）和輸出均由 VIO 輸入電壓決定。VIO 范圍為 1.65 至 VCC
與 JEDEC 標準兼容
為單電源閃存提供引腳輸出和軟件兼容性，并提供出色的無意寫入保護
每個扇區(qū)典型擦除次數(shù)為 100,000 次
20 年典型數(shù)據(jù)保存期
S29GL032N90TFI030器件參數(shù)：
存儲器類型： 非易失
存儲器格式： 閃存
技術： FLASH - NOR
存儲容量： 32Mb
存儲器組織： 4M x 8，2M x 16
存儲器接口： 并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁： 90ns
訪問時間： 90 ns
電壓 - 供電： 2.7V ~ 3.6V
工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應商器件封裝： 48-TSOP
聯(lián)系方式
QQ：1668527835
電話：13410018555
郵箱：chen13410018555@163.com
網址：www.pptls.cn
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
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