最新資訊深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶體管IGD03N120S7 的產(chǎn)品描述IGD03N120S7 是硬開(kāi)關(guān) 1200 V、3 A 單 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封裝，具有低 VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。IGD03N120S7 的規(guī)格產(chǎn)品類別：IG…
深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶體管
IGD03N120S7 的產(chǎn)品描述
IGD03N120S7 是硬開(kāi)關(guān) 1200 V、3 A 單 TRENCHSTOP? IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封裝，具有低 VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗。
IGD03N120S7 的規(guī)格
產(chǎn)品類別：IGBT
技術(shù)：硅
封裝/外殼：PG-TO252-3
配置：?jiǎn)?
集電極-發(fā)射極電壓 VCEO 最大值：1.2 kV
集電極-發(fā)射極飽和電壓：1.65 V
25 C 時(shí)的連續(xù)集電極電流：10 A
Pd - 功率耗散：45 W
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度：+ 150 C
柵極-發(fā)射極泄漏電流：100 nA
IGD03N120S7 的特性
VCE = 1200 V
IC = 3 A
Tvj = 150°C 時(shí)的低飽和電壓 VCEsat = 2 V
短路穩(wěn)固性 8 μs
寬范圍 dv/dt 可控性
IGD03N120S7 的優(yōu)點(diǎn)
用于高電壓輔助電源的緊湊型設(shè)計(jì)
減少 EMI 和電磁干擾
IGD03N120S7 的應(yīng)用
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
時(shí)間：2025-05-15
時(shí)間：2025-05-15
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時(shí)間：2025-05-14
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