A5G26S004NT6器件是NXP推出的GaN場效應晶體管，主要用于射頻功率放大場景，工作頻率范圍為2300-2690 MHz，平均輸出功率達24 dBm，耐壓值為48 V。

A5G26S004NT6關鍵特性

高終端阻抗，支持出色的寬帶性能

適用于復雜度較低的數(shù)字線性化系統(tǒng)

通用寬帶驅(qū)動器

優(yōu)化用于5G基站mMIMO有源天線系統(tǒng)

符合RoHS規(guī)范

A5G26S004NT6主要參數(shù)

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：125 V

Id-連續(xù)漏極電流：10 mA

Vgs - 柵極-源極電壓：- 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：- 2.6 V

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 150 C

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：DFN-6

封裝：Reel

產(chǎn)品類型：GaN FETs

這款24dBm GaN射頻功率晶體管專為頻率范圍為2300至2690MHz之間的移動通信基站應用而設計。

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