S70GL02GT11FHI020 2Gb MIRRORBIT?閃存器件采用45納米MIRRORBIT?工藝技術制造。該器件提供20納秒的快速頁面訪問時間，對應隨機訪問時間為110納秒。其寫入緩沖區(qū)支持單次操作編程最多256字/512字節(jié)，有效編程時間較標準單字節(jié)/單字編程算法更短。這使該器件成為當今嵌入式應用的理想選擇，可滿足更高密度、更優(yōu)性能及更低功耗的需求。

S70GL02GT11FHI020特性

? 3.0V CMOS核心架構，配備多功能I/O接口

? 單顆64球強化BGA封裝集成兩顆1024Mb芯片（S29GL01GT，完整規(guī)格參見S29GL01GT數(shù)據(jù)手冊）

? 45納米MIRRORBIT?工藝技術

? 讀/寫/擦操作共用單電源（VCC，2.7V至3.6V）

? 支持單電源供電模式

? 45納米MIRRORBIT?工藝技術

? 讀/編程/擦除單電源供電（VCC，2.7V至3.6V）

? 多功能I/O特性

- 寬I/O電壓范圍（VIO）：1.65V至VCC

? ×8與×16數(shù)據(jù)總線

? 16字/32字節(jié)頁面讀取緩沖區(qū)

? 512字節(jié)編程緩沖區(qū)

- 按頁倍數(shù)編程，最大512字節(jié)

? 扇區(qū)擦除

- 統(tǒng)一128KB扇區(qū)

- S70GL02GT型號：2048個扇區(qū)

? 編程與擦除操作的暫停/恢復指令

? 通過狀態(tài)寄存器、數(shù)據(jù)輪詢及就緒/忙引腳判斷器件狀態(tài)

? 高級扇區(qū)保護(ASP)

- 每個扇區(qū)支持易失性與非易失性保護機制

? 獨立1024字節(jié)一次性編程(OTP)陣列，含兩個可鎖定區(qū)域

- 每顆器件均支持通用閃存接口(CFI)

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。