【IPB133N12NM6】120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，正常電平，采用 D2PAK 3 引腳封裝。

說明：

IPB133N12NM6 是 D2PAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET，導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)：

ID (@25°C) 最大值：55 A

QG (typ @10V) ：15 nC

RDS (on) (@10V) 最大值：13.3 mΩ

VDS 最大值：120 V

VGS(th)：3.1 V

封裝：D2PAK (TO-263)

工作溫度：-55 °C 至 175 °C

IPB133N12NM6 產(chǎn)品特性：

與 OptiMOS ?相比，該技術(shù)特點如下：

RDS(on) 提高高達 40%

FOMg

Qrr 提高高達 50%

IPB133N12NM6 產(chǎn)品優(yōu)勢：

極低的導(dǎo)通電阻

極低的反向恢復(fù)電荷

出色的柵極電荷 x RDS(on)

高雪崩能量額定值

175°C 結(jié)溫額定值

無鉛電鍍

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