BSC070N10NS5SC（N通道功率MOSFET）100V，OptiMOS ? 5 功率MOSFET晶體管，PG-WSON-8

BSC070N10NS5SC——OptiMOS ? 5 功率 MOSFET 100 V 采用 SuperSO8 DSC（雙面冷卻）封裝，具有雙面冷卻的熱優(yōu)勢和行業(yè)標準的尺寸。MOSFET 芯片產生的熱量約有 30% 通過頂部傳遞，傳遞到 PCB 的熱量較少，因此，在相同功率耗散的情況下，PCB 的運行溫度更低，從而提高可靠性，或者 MOSFET 可以處理更多功率，從而實現(xiàn)更高的功率密度。

BSC070N10NS5SC 規(guī)格參數(shù)：

系列：OptiMOS? 5

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Ta），82A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：38 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2700 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-WSON-8-2

封裝/外殼：8-PowerWDFN

BSC070N10NS5SC 應用：

數(shù)據(jù)中心和計算解決方案 

電信基礎設施 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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