TP65H150BG4JSG 是 Renesas公司生產(chǎn)的一款650V SuperGaN GaN FET，采用 PQFN56封裝 ，具備低導通電阻（150mΩ）和動態(tài)RDS(on)特性。TP65H150BG4JSG基于 Gen IV技術(shù)平臺 ，結(jié)合高壓GaN HEMT 與 低壓硅MOSFET ，具備高效率、低交越損耗和低反向恢復電荷（QRR）等優(yōu)勢。

技術(shù)規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：16A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 10A，6V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 500μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：4.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：400 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PQFN（5x6）

此外，TP65H150BG4JSG目標應用場景包括消費領域、電源適配器、低功耗 SMPS和照明系統(tǒng)等。

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