Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比，LPDDR4內(nèi)存在待機模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝（MCP）和封裝體疊層（PoP）設(shè)計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應(yīng)用節(jié)省BOM。LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現(xiàn)了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。

特征

?超低電壓核心和I/O電源

–VDD1=1.70–1.95V；標(biāo)稱1.80V

–VDD2=1.06–1.17V；1.10V標(biāo)稱

–VDDQ=1.06–1.17V；1.10V標(biāo)稱或低VDDQ=0.57–0.65V；標(biāo)稱0.60V

?頻率范圍

–2133–10 MHz（數(shù)據(jù)速率范圍：4266–20 Mb/s/引腳）

?16n預(yù)取DDR體系結(jié)構(gòu)

?每個通道8個內(nèi)部銀行，用于并行操作

?單一數(shù)據(jù)速率CMD/ADR輸入

?每個字節(jié)通道的雙向/差分?jǐn)?shù)據(jù)選通

?可編程讀取和寫入延遲（RL/WL）

?可編程和動態(tài)突發(fā)長度（BL=16,32）

?針對每個銀行進行定向刷新，以實現(xiàn)銀行的并行操作和易于指揮的調(diào)度

?每個裸片高達8.5 GB/s

?片上溫度傳感器，用于控制自刷新率

?部分陣列自刷新（PASR）

?可選輸出驅(qū)動強度（DS）

?時鐘停止功能

?符合RoHS，“綠色”包裝

?可編程VSS（ODT）終端

?單端CK和DQS支持

?AEC-Q100

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