商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件

IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET? 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):2.6 毫歐 @ 180A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):540 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):29000 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),517W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
IRFPW4468PBF通過 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)驗證,支持直接替換方案,引腳排列兼容主流PCB設(shè)計。 ?
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
儲能系統(tǒng)
單相組串式逆變器解決方案
微型逆變器解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開關(guān)性能
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EVAL-BGA125N6
EVAL-BGA125N6評估板設(shè)有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA),設(shè)計用于增強可穿戴設(shè)備和移動蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中L2/L5頻段的GNSS信號靈敏度。
EVAL-BGA123N6
EVAL-BGA123N6評估板設(shè)有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA) ,設(shè)計用于增強可穿戴設(shè)備和移動蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中L2/L5頻段的GNSS信號靈敏度。
EVAL-BGA123L4
英飛凌科技EVAL-BGA123L4評估板設(shè)有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA),設(shè)計用于可穿戴設(shè)備和移動蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
BGA725L6-BOARD
Infineon Technologies BGA725L6-BOARD評估板設(shè)計用于評估BGA725L6硅鍺低噪聲放大器(用于全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng) (GNSS))的性能。
BGA824N6-BOARD
BGA824N6-BOARD評估板設(shè)計用于評估BGA824N6硅鍺低噪聲放大器(用于全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng) (GNSS))的性能。電話咨詢:86-755-83294757
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