STW3N150是意法半導體的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-247-3封裝，屬于MDmesh?系列，適用于高電壓、大功率應用。該器件采用Si半導體材料，具有1500V漏源電壓（Vdss）和2.5A連續(xù)漏極電流（Id），適用于電源管理、工業(yè)控制和電機驅動等領域。

核心參數(shù)

產品型號：STW3N150

漏源電壓（Vdss）：1500V

連續(xù)漏極電流（Id）：2.5A（Tc=25°C）

導通電阻（RDS(on)）：9Ω @ 1.3A, 10V

柵極閾值電壓（VGS(th)）： 3~5V

最大功率耗散（PD）：140W（Tc）

輸入電容（Ciss）：939pF @ 25V

柵極電荷（Qg）：29.3nC @ 10V

工作溫度范圍：-50°C ~ +150°C

封裝：TO-247-3

關鍵特性

高耐壓：1500V漏源電壓，適用于高壓電源轉換和逆變器應用。

低導通電阻：9Ω @ 1.3A，減少功率損耗，提高效率。

快速開關：輸入電容939pF，柵極電荷29.3nC，優(yōu)化高頻開關性能。

高可靠性：符合RoHS標準，適用于工業(yè)級和汽車級應用。

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