MSPM0L1106TRTRR是由（TI）生產(chǎn)的一款基于增強型 Arm Cortex-M0+ 內(nèi)核的32位微控制器，工作頻率高達32MHz。該MCU提供高達 64KB 的嵌入式閃存程序存儲器和 4KB 的 SRAM。

此外，MSPM0L1106TRTRR包含精度高達 ±1.2% 的高速片上振蕩器，無需外部晶體。其他特性包括 3 通道 DMA、16 位和 32 位 CRC 加速器，以及各種高性能模擬外設(shè)，例如一個具有可配置內(nèi)部電壓基準(zhǔn)的 12 位 1.68MSPS ADC、一個通用放大器和一個片上溫度傳感器。這些特性使得MSPM0L1106TRTRR廣泛用于以下領(lǐng)域：

? 電池充電和管理

? 電源和電力輸送

? 個人電子產(chǎn)品

? 樓宇安防與防火安全

? 聯(lián)網(wǎng)外設(shè)和打印機

? 電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施

? 智能抄表

? 通信模塊

? 醫(yī)療和保健

? 照明

MSPM0L1106TRTRR的性能參數(shù)包括：

核心處理器：ARM? Cortex?-M0+

內(nèi)核規(guī)格：32-位

速度：32MHz

連接能力：DALI，I2C，IrDA，LINbus，智能卡，SMBus，SPI，UART/USART

外設(shè)：欠壓檢測/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDT

I/O 數(shù)：13

程序存儲容量：64KB（64K x 8）

程序存儲器類型：閃存

EEPROM 容量：-

RAM 大小：4K x 8

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.62V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 6x12b SAR

振蕩器類型：外部，內(nèi)部

工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：16-WQFN（3x2）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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