IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格：

IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)

面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)

降低電磁干擾

技術(shù)規(guī)格

IGBT 類(lèi)型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：9 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：9 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，3A

功率 - 最大值：37 W

開(kāi)關(guān)能量：210μJ（導(dǎo)通），160μJ（關(guān)斷）

輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：24 nC

25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：19ns/89ns

測(cè)試條件：600V，3A，60 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-263-3

IGB03N120S7適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制等領(lǐng)域。其高抗短路能力和低電磁干擾特性使其在工業(yè)驅(qū)動(dòng)器中表現(xiàn)出色?。

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