STGW10M65DF2器件是一款IGBT，采用先進的專有溝槽柵極場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應用如下：

技術(shù)規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：40 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A

功率 - 最大值：115 W

開關(guān)能量：120μJ（導通），270μJ（關(guān)斷）

輸入類型：標準

柵極電荷：28 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：19ns/91ns

測試條件：400V，10A，22 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：96 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

應用領域

STGW10M65DF2的應用領域包括：

電機控制??

不間斷電源（UPS）?

功率因數(shù)校正（PFC）?

通用逆變器??

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