DF160R12W2H3F是一款1200 V 160 A 增壓 IGBT模塊，采用IGBT HighSpeed 3技術(shù)，結(jié)合SiC肖特基二極管，提升開關(guān)速度與能效?。DF160R12W2H3F模塊適用于中小功率逆變器，支持A0級(jí)/A00級(jí)純電車型及混合動(dòng)力系統(tǒng)?。

技術(shù)規(guī)格

產(chǎn)品：DF160R12W2H3F

配置：Quad

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1.2 kV

集電極—射極飽和電壓：1.55 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：20 A

柵極—射極漏泄電流：100 nA

Pd-功率耗散：20 mW

封裝 / 箱體：Module

最小工作溫度：- 40 C

最大工作溫度：+ 150 C

柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V

安裝風(fēng)格：Press Fit

產(chǎn)品類型：IGBT Modules

系列：High Speed IGBT H3

單位重量：36 g

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