IDH12G65C6是一款CoolSiC?肖特基二極管，具有650V的額定電壓和G6的技術(shù)等級(jí)。該器件采用了先進(jìn)的SiC肖特基勢壘二極管技術(shù)，充分發(fā)揮了在硅上使用SiC的全部優(yōu)勢。英飛凌的專有創(chuàng)新焊接工藝、緊湊的設(shè)計(jì)、薄晶圓技術(shù)以及全新的肖特基金屬系統(tǒng)，使得IDH12G65C6在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出極其優(yōu)秀的品質(zhì)因數(shù)（Qcx VF），在各種負(fù)載條件下都表現(xiàn)出更高的效率?。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：IDH12G65C6

封裝 / 箱體：TO-220-2

配置：Single

If - 正向電流：27 A

Vrrm - 重復(fù)反向電壓：650 V

Vf - 正向電壓：1.25 V

Ifsm - 正向浪涌電流：64 A

Ir - 反向電流 ：1.2 uA

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

系列：XDH12G65

Pd-功率耗散：81 W

產(chǎn)品類型：SiC Schottky Diodes

Vr - 反向電壓 ：650 V

單位重量：2 g

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