STL24N60M6 MDmesh? M6 MOSFET將低柵極電荷 (Qg) 和經(jīng)過優(yōu)化的電容曲線相結(jié)合，設(shè)計用于在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的全新拓撲中實現(xiàn)高效率。該超級結(jié)MDmesh? M6系列具有可提高功率密度的極高效率，以及可在高頻下的低柵極電荷。M6系列MOSFET的擊穿電壓范圍為600V至700V。它們提供多種封裝選項，包括無引線TO (TO-LL) 封裝解決方案，可實現(xiàn)高效的熱管理。

STL24N60M6 該器件包括各種工作電壓，適用于工業(yè)應(yīng)用，包括充電器、適配器、銀盒模塊、LED照明、電信、服務(wù)器和太陽能。

特性

經(jīng)過優(yōu)化的閾值電壓，用于軟開關(guān)

良好的開關(guān)行為，用于硬開關(guān)和軟開關(guān)

極高的效率性能，可提高功率密度

低柵極電荷，可在高頻下工作

電容曲線和閾值電壓經(jīng)過優(yōu)化，用于在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的全新拓撲中實現(xiàn)高效率

廣泛的產(chǎn)品組合

應(yīng)用

充電器

適配器

銀盒模塊

LED照明

電信

服務(wù)器

太陽能逆變器

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