商品名稱：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：WLCSP-16
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IGK080B041S 是一款 40V 常閉雙向功率晶體管，采用小型 WLCSP 1.7x1.7 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。由于其極低的導(dǎo)通電阻，它是在需要雙向阻斷能力的苛刻應(yīng)用（如負(fù)載開關(guān)）中提供可靠性能的理想選擇。
特征：
? E 模式雙向晶體管 - 常閉開關(guān)
? 漏極到漏極配置
? 雙向阻塞能力
? 低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、低輸出電荷
? 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，適用于目標(biāo)應(yīng)用
應(yīng)用：
? 高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)
? 智能手機(jī) USB 端口中的 OVP 保護(hù)
? 多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路
型號
品牌
封裝
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描述
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢：86-755-83294757
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