650V IXYP60N65A5 XPT? GenX5?溝槽式IGBT采用專有的XPT薄景園技術(shù)和先進(jìn)的第5代 (GenX5) 溝槽式IGBT工藝研發(fā)而成。該器件具有低熱阻、低能耗、快速開關(guān)、低拖尾電流和高電流密度等特性。 XPT GenX5溝槽式IGBT具有方形反向偏置安全工作區(qū) (RBSOA)，擊穿電壓高達(dá)650V，因此非常適合用于無(wú)緩沖硬開關(guān)應(yīng)用。

器件規(guī)格：

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：134 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：260 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.35V @ 15V，36A

功率 - 最大值：395 W

開關(guān)能量：600μJ（開），1.45mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：128 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：28ns/230ns

測(cè)試條件：400V，36A，5 歐姆，15V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-220（IXYP）

基本產(chǎn)品編號(hào)：IXYP60

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